該發明公開了一種填充Ga的CoSb3基方鈷礦熱電材料GaxCo4Sb12.3及其制備方法,屬于熱電材料領域。本發明的目的在于提供一種通過填充鎵單質(Ga)形成填充方鈷礦來提高CoSb3基方鈷礦材料熱電性能的方法。該熱電材料可通過改變單質鎵(Ga)的含量來調節賽貝克系數、電導率和熱導率等參數來提升CoSb3基方鈷礦材料的熱電性能,且制備工藝簡單,適合大規模生產。
聲明:
“填充Ga的基方鈷礦熱電材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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