本實用新型公開了一種監控△Tj大電流功率循環的電路控制結構,包括被測MOS管Q1、電壓源VR、電流源Im、按鍵開關K1、按鍵開關K2、按鍵開關K3、按鍵開關K4、電阻R1、寄生二極管D1和電壓表,按鍵開關K1的一端接電壓源VR,按鍵開關K1的另一端分別與被測MOS管Q1的4引腳和按鍵開關K4的一端電性連接,按鍵開關K4的另一端接?5V電壓,被測MOS管Q1的1引腳分別與寄生二極管D1負極和電壓表的一端電性連接其節點接+5V電壓。本實用新型克服了傳統的MOSFET間歇壽命試驗中由于沒有設置結溫監控導致在試驗中易出現器件失效的風險的問題。本實用新型具有按鍵的使用壽命長、具有防塵功能、采集數據方便、計算數據方便和測量精度較高等優點。
聲明:
“監控△Tj大電流功率循環的電路控制結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)