本發明提供了一種SiC PiN雙極性退化的篩選方法,該方法首先選擇正向導通特性正常的SiC PiN器件進行雙極性退化篩選試驗,并在試驗前確定合適大小的正向導通電流密度;之后在老練測試試驗中對SiC PiN器件的正向導通電壓變化趨勢進行實時監測,剔除不合格器件,最后比較通過老練測試試驗的SiC PiN器件在老煉測試試驗前后的正向導通特性,進一步剔除出現雙極性退化的SiC PiN器件。本發明公開的SiC PiN雙極性退化的篩選方法,首次建立了SiC PiN的雙極性退化篩選方法,填補了國內外目前尚無針對SiC PiN雙極性退化的篩選方法的空白,利用該方法可以在更短時間內高效地剔除SiC材料中層錯等擴展缺陷導致的早期失效,提高器件的長期可靠性。
聲明:
“SiC PiN雙極性退化的篩選方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)