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刻蝕控制方法以及半導體制造工藝控制方法

1244   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:05:32
本發明提供了刻蝕控制方法以及半導體制造工藝控制方法。根據本發明的刻蝕控制方法包括:在發生傳送模塊氣壓偏移時發出傳送模塊氣壓警告;利用設備自動化系統實時檢查傳送模塊氣壓警告記錄,確定是否有傳送模塊氣壓警告;在存在傳送模塊氣壓警告的情況下,設備自動化系統立刻給機臺發出停止運行的命令,蝕刻機臺收到命令后,蝕刻設備自動停止裝貨卸貨腔運行工藝流程,并且使有缺陷的晶圓停止反應;繼續處理有缺陷的晶圓。通過采用本發明的技術方案,與現有技術相比,能夠在傳送模塊氣壓偏移發生時盡量避免晶圓報廢以及器件失效。
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