本發明公開一種對一次可編程存儲器芯片進行篩選的方法,屬于CMOS集成電路技術領域。通過編程器對一次可編程存儲器芯片的冗余行進行編程并校驗,剔除校驗失敗的芯片;對一次可編程存儲器芯片進行空片檢查,剔除檢查失敗的芯片;通過編程器對一次可編程存儲器芯片的冗余列進行編程并校驗,剔除校驗失敗的芯片;再次對一次可編程存儲器芯片進行空片檢查,剔除檢查失敗的芯片;對一次可編程存儲器芯片進行動態老煉,誘導有潛在缺陷的芯片發生早期失效;進行全片讀取校驗,剔除發生錯誤的芯片。本發明提供的方法可以有效剔除有工藝缺陷或參數不達標的芯片,具有很高的應用價值。
聲明:
“對一次可編程存儲器芯片進行篩選的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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