合肥金星智控科技股份有限公司
宣傳

位置:中冶有色 >

有色技術頻道 >

> 失效分析技術

> 提高GaN HEMT退火成功率的方法

提高GaN HEMT退火成功率的方法

1317   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:02:32
本發明涉及一種提高GaN HEMT退火成功率的方法,屬于半導體器件技 術領域。所述方法包括:測量GaN HEMT的肖特基反向特性曲線;根據測得 的肖特基反向特性曲線,繪制以ln|I|為縱坐標,Vr1/4為橫坐標的電流電壓 曲線;根據位于小于器件閾值電壓區域內的電流電壓曲線形狀,判斷是否對 GaN HEMT進行退火。本發明通過根據肖特基反向特性曲線繪制的電流電壓曲 線,對GaN HEMT退火后其直流特性能否上升進行判斷,從而選擇性地對器 件進行退火,以降低退火后器件失效的數量,提高器件的退火成功率,同時 節約了成本。
登錄解鎖全文
聲明:
“提高GaN HEMT退火成功率的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
分享 0
         
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
標簽:
失效分析
全國熱門有色金屬技術推薦
展開更多 +

 

中冶有色技術平臺

最新更新技術

報名參會
更多+

報告下載

赤泥綜合利用研究報告2025
推廣

熱門技術
更多+

衡水宏運壓濾機有限公司
宣傳
環磨科技控股(集團)有限公司
宣傳

發布

在線客服

公眾號

電話

頂部
咨詢電話:
010-88793500-807
專利人/作者信息登記
在线精品视频播放|无码 有码 国产18p|宅男精品一区在线观看|伊人色综合久久天天人手人婷|亚洲熟肥妇女BBXX