本發明涉及一種提高GaN HEMT退火成功率的方法,屬于半導體器件技 術領域。所述方法包括:測量GaN HEMT的肖特基反向特性曲線;根據測得 的肖特基反向特性曲線,繪制以ln|I|為縱坐標,Vr1/4為橫坐標的電流電壓 曲線;根據位于小于器件閾值電壓區域內的電流電壓曲線形狀,判斷是否對 GaN HEMT進行退火。本發明通過根據肖特基反向特性曲線繪制的電流電壓曲 線,對GaN HEMT退火后其直流特性能否上升進行判斷,從而選擇性地對器 件進行退火,以降低退火后器件失效的數量,提高器件的退火成功率,同時 節約了成本。
聲明:
“提高GaN HEMT退火成功率的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)