本發明提供了一種用于快速定位三維存儲器陣列區短路的方法,包括:將待測試樣品處理到鎢栓塞層;使用聚焦離子束機臺對處理之后的待測試樣品的失效區塊進行標記;通過納米點針臺給臺階區鎢栓塞施加一定的電壓,找出陣列區字線層與字線層之間的或字線層與源極之間的失效路徑;使用聚焦離子束機臺,在失效的字線層對應的臺階區鎢栓塞處引出線路,然后在線路的末端沉積金屬墊體;通過微光顯微鏡給金屬墊體施加一定的電壓,從而突出失效處的熱點信號;在失效點處標記激光標記;使用聚焦離子束機臺在激光標記處進行剖面切削,同時觀察失效點,制備透射電子顯微鏡試片;以及使用透射電子顯微鏡對試片進行表征。本發明的方法能夠快速實現對字線層短路點的定位和表征。
聲明:
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