一種比較半導體器件的靜電放電性能的方法,包括:收集各組半導體器件所有測試管腳在靜電放電測試中的失效電壓;對各組半導體器件的失效電壓數據進行概率分布統計;基于概率分布,獲得各組半導體器件的外推最低電壓;若半導體器件的外推最低電壓與所述失效電壓數據中的最低值的差值小于第一臨界范圍,則以所述最低值作為待比較值;否則,以所述外推最低電壓作為待比較值;比較各組半導體器件;具有較大待比較值,且與另一待比較值間的差值大于或等于第二臨界范圍的一組半導體器件的靜電放電性能較好。否則,兩組半導體器件的靜電放電性能相近。所述比較半導體器件的靜電放電性能的方法,其準確性較高。
聲明:
“比較半導體器件的靜電放電性能的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)