二極管芯片。涉及一種半導體分立器件。能克服檢測中放電,使用中“爬電”現象。芯片邊沿設有一圈玻璃質保護層,芯片的水平投影為無折角的封閉形狀;芯片的縱向截面呈凸字形,側邊上部為凹弧形,下部為直邊;側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜;玻璃質保護層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95%。本實用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電,提高耐壓能力,避免失效或故障。SIPOS膜作用為吸收芯片表面可動離子(雜質),增強器件穩定性、提高二極管耐壓能力。溝槽底部仍會保留SIPOS膜和SIO2膜,防止在蒸金時會有金層附著在上面。
聲明:
“二極管芯片” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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