提供一種借助于打算的高度集成和高速度的實現能夠得到高度可靠的半導體器件的制造方法。在諸過程期間,在一個包括一個CMOS靜態型電路的希望電路形成在半導體襯底上直到產品裝運之后,進行:一種第一操作,把一個預定輸入信號供給到電路,并且檢索與它對應的一個第一輸出信號;和一種第二操作,給出增大構成CMOS靜態型電路的MOSFET的導通電阻值的一種操作條件,并且檢索與該條件對應的一個第二輸出信號;及一個測試步驟,通過從第二輸出信號變化的第一輸出信號確定失效。
聲明:
“半導體器件的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)