本發明公開了一種包含機械應力加速的壓接式絕緣柵雙極型晶體管高溫反偏試驗方法,通過加大壓接式IGBT器件的夾持力,將原先需要1000h的壓接式IGBT器件高溫反偏試驗時間縮短到了197.64h,極大縮短了試驗時間。將IGBT器件放置在恒溫箱中,溫度恒定在150℃;同時向集電極和發射極之間施加電壓VCE(取最大電壓VCE?max的80%);柵極電壓VGE保持為零;同時施加機械壓力,使機械壓強Ptest保持在2Gpa。持續197.64h后,降溫至室溫,撤去電壓和外加的機械壓力,再按照國際標準IEC60747?9(2007)中規定的晶體管參數檢測方法和耐受試驗失效標準,診斷該器件是否失效。
聲明:
“包含機械應力加速的壓接式絕緣柵雙極型晶體管高溫反偏試驗方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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