本發明公開了一種面向多維封裝結構芯片可靠性評估方法,包括以下步驟:步驟1,選定晶圓上用于可靠性測試的芯片樣本數量;步驟2,對選定的芯片樣本進行外部損傷檢查;步驟3,將通過外部損傷檢查后的芯片樣本進行預處理實驗;步驟4,將預處理實驗后的芯片樣本分為3組,分別進行溫度循環實驗、無偏壓高加速溫濕度應力實驗以及壓力蒸煮實驗;步驟5,對完成步驟4試驗后的3組芯片通過失效統計和微觀組織結構表征,確定芯片樣本的缺陷和壽命預計值。本發明的可靠性評估方法,能夠確定不同工作條件對芯片的組織結構變化和內部缺陷形成的影響,確定芯片的可靠性及失效形式,準確評估產品壽命預計值,有助于盡快改進芯片設計和生產中的缺陷。
聲明:
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