本發明提供一種對半導體制造中的晶圓進行監控的方法和掩膜版。所述方法包括:獲取待監控的半導體工藝及其設計規則;根據所述設計規則設計監控圖形,所述監控圖形包括產品晶圓上對應于所述半導體工藝的關鍵圖形;制作所述產品晶圓的掩膜版,其中,在制作所述掩膜版的過程中將所述監控圖形導入所述產品晶圓的所述掩膜版的切割道區域;制造所述產品晶圓并在制造所述產品晶圓的過程中進行所述產品晶圓的失效分析。根據本發明,使后續制造的產品晶圓中同時得到各種不同監控工藝的監控圖形結構,工作量低、分析效率高;針對同一種工藝,在不同產品上實現監控圖形的整體形貌的監控,避免監控產品更改所帶來的影響,數據規范統一,可實現工藝長期監控。
聲明:
“對半導體制造中的晶圓進行監控的方法和掩膜版” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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