本發明涉及一種樣品去層次方法,用于半導體芯片的失效分析,包括以下步驟:步驟S1、所述半導體芯片具有一目標區域;步驟S2、研磨所述半導體芯片,并停止于位于所述層間介質層上表面的所述金屬層;步驟S3、形成一保護膜層,所述保護膜層覆蓋所述目標區域的正上方的所述金屬層的上表面;步驟S4、繼續研磨所述半導體芯片,去除位于所述保護膜層下方的所述金屬層之外的所述金屬層;步驟S5、去除所述保護膜層;步驟S6、去除所述金屬層;步驟S7、去除所述半導體襯底上表面的其余物質,露出所述半導體襯底。其優點在于,設置一層保護膜層,避免出現化學試劑與金屬層反應,保障半導體襯底不被損傷以及污染;有效提高失效分析的準確性,提高工作效率。
聲明:
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