本發明提供一種晶圓,其邊緣設有第一缺口,其中,在晶圓的邊緣至少還設有第二缺口,第二缺口與第一缺口的位置相差90度,形狀不同,且開口高度相等。本發明還提供一種利用晶圓識別錯誤制程的方法,晶圓上設有至少兩個缺口,至少兩個晶圓通過該制程,該方法包括如下步驟:第一片晶圓通過該晶圓上的第一缺口定位,通過該制程;將第二片晶圓旋轉90度,通過該晶圓上的第二缺口定位,通過該制程;通過第一缺口定位檢測第一片晶圓上的芯片參數;通過第二缺口定位檢測第二片晶圓上的芯片參數;對比兩個晶圓上芯片參數的失效模式來判斷該制程是否出現錯誤。與現有技術相比,本發明可以有效識別錯誤制程,而且簡化了判斷壞片出現原因的過程。
聲明:
“晶圓及利用該晶圓識別錯誤制程的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)