本發明提供一種改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法,該方法包括以下步驟:提供一半導體樣品,所述半導體樣品中包含用于失效分析的目標點;刻蝕所述半導體樣品,形成包圍該目標點的槽;在所述槽中填充金屬,形成包圍目標點的金屬框。本發明可有效的避免半導體樣品在研磨過程中由于累計按壓造成的前層結構變形和人為因素引起的缺陷,以及對處于半導體樣品邊緣地帶的目標點由于研磨速率快而導致的失效分析失??;提高樣品研磨的平整度并克服邊緣效應,進而提高失效分析的準確性。
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