本發明提供一種叉指狀柵GOI結構失效點定位方法,包括:提供集成電路芯片樣品;逐層剝離集成電路各層直至暴露出源極/漏極接觸頂部;刻蝕去除源極/漏極接觸中的導電材料;采用電壓襯度分析法,利用聚焦離子束(FIB)切割的方法,逐步定位柵極氧化層的失效點。通過去除源極/漏極接觸中的導電金屬,有效規避了FIB切割時源極/漏極接觸(S/D?CT)對電壓襯度的干擾,進而實現柵極氧化層的漏電點(失效點)的精確定位,提高柵極氧化層可靠性失效分析的成功率。
聲明:
“用于叉指狀柵GOI結構漏電點精確定位的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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