本發明提供一種提高芯片平整度的去層方法,提供用于失效分析的芯片并確定失效分析的目標區域及失效分析的層;手動研磨目標區域,并研磨至目標區域出現梯度為止;在目標區域的所述梯度位置處填充Pt介質以平整研磨表面;對填充Pt介質后的目標區域繼續手動研磨,若研磨至去除了失效分析的層以上的全部金屬層時還未出現梯度,則研磨停止在失效分析的層上表面的介質層上;若研磨再次出現梯度則再次填充Pt介質直至將失效分析的層研磨出為止。本發明通過在研磨時出現梯度處填充一層介質,防止研磨梯度進一步增加,同時避免化學試劑腐蝕下層金屬,大大提高樣品的去層平整度,從而提高失效分析的效率和成功率。
聲明:
“提高芯片平整度的去層方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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