本發明涉及一種封裝結構的解剖、重現方法,包括以下步驟:切割單元對電子元件封裝結構從該結構的某表面進行切割;清洗單元對切面進行清洗;結構形貌探測單元對該面掃描得到切面的二維圖像;化學成分探測單元掃描該切面得到切面中某些點的化學元素成分;計算機根據二維圖像得到多個切面的二維幾何模型;通過拉伸和堆疊形成電子元件封裝結構的三維幾何模型;再根據各切面中某些點的化學元素成分形成電子元件封裝結構的三維模型。本發明能夠實現電子封裝3D結構的精確解剖和重現,有效提高了電路結構分析、故障定位和失效分析的效率。
聲明:
“封裝結構的解剖、重現方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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