本發明公開的含未鈍化金屬層結構的塑封器件的開封方法,首先利用發煙硝酸在80℃-90℃的環境下蝕刻塑封器件5-10秒,并在30秒內開始進行清洗過程,利用丙酮和去離子水將蝕刻后的器件清洗干凈并風干;然后在70℃-80℃的環境下利用由發煙硝酸和98%濃硫酸按2∶1體積比混合組成的蝕刻酸一蝕刻塑封器件10-20秒,蝕刻后應立即利用丙酮、異丙醇和去離子水將器件清洗干凈,最后在空氣中風干。采用精確控制開封工藝參數,兩次蝕刻過程的方法對芯片表面采用鎳銅、鎳鎢等未受鈍化層保護的結構生產的塑封半導體集成電路進行開封,開封后可完整的保留器件內部結構,保證器件在開封后還能保持電性能,完全滿足破壞性物理分析與失效分析等后續檢驗對器件完好性的要求。
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