本發明公開了一種塑封光耦解剖方法,通過X射線檢查塑封光耦的內部結構,利用激光開封機對塑封光耦進行局部去除,對塑封光耦的發光部分和接收部分進行分離,然后采用濃硫酸浸泡的方式,去除芯片表面的導光膠,實現失效分析以及DPA工作中的鍵合強度及芯片粘接分析工作。使得光耦解剖后,框架完整、芯片粘接及鍵合完整,可有效擴展塑封光耦的分析能力,即立體結構的塑封光耦也可進行鍵合強度試驗及芯片粘接分析。
聲明:
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