本發明公開了一種MOS器件壽命預計方法,包括步驟:分析器件的物理失效機理與器件宏觀參數退化的相關性,構建基于所述物理失效機理的器件宏觀參數退化模型;對器件進行可靠性模擬仿真,分析器件宏觀參數退化對物理失效機理的敏感性;選擇應力施加方式,對器件進行基于參數退化壽命試驗并獲取可靠性試驗數據;分析上述可靠性試驗數據,建立基于參數退化的壽命預計計算模型;根據上述壽命預計計算模型獲取器件的壽命預計結果。利用該方法解決新技術條件下傳統器件壽命預測方法準確性和可操作性的問題,減少試驗樣品數量,降低試驗費用,提高預計試驗結果的準確性。
聲明:
“MOS器件壽命預計方法及系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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