本發明公開一種SiC MOSFET模塊全生命周期結溫在線預測方法,具體按照以下步驟實施:步驟1,采用全新的SiC MOSFET模塊做功率循環直到模塊完全老化失效;在功率循環期間采樣該SiC MOSFET模塊的電氣參數作為數據集;步驟2,建立SiC MOSFET模塊結溫預測模型,包括依次連接的第一BP神經網絡模型和第二BP神經網絡模型;步驟3,采用數據集對進行模型訓練;步驟4,將訓練好的SiC MOSFET模塊結溫預測模型移植到FPGA中,在被測的SiC MOSFET模塊實際運行中,輸入電流Id,實時輸出對應的結溫Tc。本發明能夠準確得到SiC MOSFET模塊的結溫,確保帶模塊安全穩定運行。
聲明:
“SiC MOSFET模塊全生命周期結溫在線預測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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