本發明提供一種閃存的測試方法,所述閃存分為若干區塊,所述區塊中包括若干存儲單元,所述測試方法包括以下步驟:設定存儲單元柵電壓的工作優化范圍;讀取所述區塊中存儲單元的柵電壓,判斷所述區塊中存儲單元柵電壓是否均位于所述工作優化范圍內,是則標記為正常區塊,否則標記為薄弱區塊。對所述薄弱區塊進一步測試,以進一步區分正常區塊和失效區塊;生成測試結果。本發明所述閃存的測試方法是利用存儲單元柵電壓的工作優化范圍初步讀取閃存中存儲單元的數據找出薄弱存儲區塊,僅對薄弱存儲區塊進行進一步測試,生成測試結果。相比現有技術對閃存中所有區塊的存儲單元進行測試,本發明大大縮短了測試時間和測試成本。
聲明:
“閃存的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)