本發明屬于測量技術領域,具體涉及一種大尺寸芯片翹曲度測量方法。具體通過伽馬射線輻射大尺寸芯片,由閃爍探測器接收經芯片反射的光子并倍增后通過計數裝置得出光子數,然后轉換成電壓V。然后以一定速度v水平移動芯片,通過光子數轉換得到V(t),由相關參數及模型相互結構關系換算出芯片平面翹曲信息,得到芯片翹曲度。本發明具備如下有益效果:(1)伽馬光子動態測量精度高,得到的結果更為精確可靠;(2)測量過程中不會觸碰芯片,因此不會由于測量造成芯片的失效損失;(3)利用伽馬光子技術的測量快速有效;(4)排除人為測量誤差因素。
聲明:
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