本發明提供了一種高壓MOS器件的測試方法,用于測試半導體晶圓上各芯片的高壓MOS器件是否失效,包括:在半導體晶圓上任選若干芯片,測試其高壓MOS器件;將所述各芯片的高壓MOS器件的一極接地,另一極與柵極接測試端;逐步升高在所述測試端施加的測試電壓,并同時測量各高壓MOS器件對應的源漏電流;所述測試電壓的初始值小于所述高壓MOS器件的飽和電壓;根據所述測試電壓以及相應的源漏電流,形成各芯片的高壓MOS器件的輸出特性曲線;根據所述輸出特性曲線判定所述高壓MOS器件是否失效。與現有技術相比,本發明采用遞增調整測試電壓的方式,測試源漏電流,能夠避免因寄生效應導致源漏電流過小,而發生錯誤判定的問題。
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