本發明涉及一種測試NMOS熱載流子注入壽命的方法,包括以下步驟:步驟1、測試系統將測試電壓應力加到被測器件的漏極,該測試電壓的值為穿通電壓的60%~70%之間;步驟2、漏極所加電壓應力時的最大基底電流所對應的柵壓為柵極電壓應力,通入此柵極電壓應力,得到被測器件漏極電流的退化圖;步驟3、測試系統對步驟2中的數據進行擬合得到被測器件失效時間,當器件退化到5%以上,利用外差推算得到器件的失效時間;然后用公式TTF*Ids=C*(Isub/Ids)m計算熱載流子注入的壽命。采用本發明的技術方案可以快速地得到NMOS熱載流子注入的壽命,大大縮短測試時間,而且不需要封裝晶片,節省了成本。
聲明:
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