本發明公開了一種測試RRAM器件的數據保持特性的方法,包括以下步驟:a)控制樣品臺的溫度,將RRAM器件保持為預定的溫度;b)將RRAM器件設置為高阻態或低阻態;c)向RRAM器件施加預定的測試電壓,使其發生電阻態失效,以測量數據保持時間;d)重復步驟a)-c),進行多次測量;e)利用多次測量的數據保持時間,計算出RRAM器件的電阻態失效概率F(t);以及f)對電阻態失效概率F(t)進行擬合,并利用擬合得到的參數進一步計算出預期數據保持時間tE。優選地,利用電壓加速和溫度加速相結合預測RRAM器件的數據保持時間。該測試方法可以準確且快速地評估RRAM器件的數據保持特性。
聲明:
“測試阻變隨機訪問存儲器件的數據保持特性的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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