本公開實施例公開了一種CMOS器件壽命預測方法、裝置、電子設備及介質。其中CMOS器件壽命預測方法包括:獲取CMOS器件在加速應力試驗下電參數的時間序列樣本數據集,所述時間序列樣本數據集包括表征所述CMOS器件壽命的電參數退化量的時間序列樣本數據;基于所述時間序列樣本數據集得到訓練集;用所述訓練集訓練時序模型,獲得壽命預測模型;用所述壽命預測模型預測所述CMOS器件的失效時間。上述技術方案減少了現有技術中因對CMOS器件進行完整的加速應力試驗以確定其使用壽命的時間成本,提高了產品質檢效率,縮短了CMOS器件的生產周期,解決了CMOS器件生產效率低的問題。
聲明:
“CMOS器件壽命預測方法、裝置、電子設備及介質” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)