本公開提供一種用于預測PMOS元件NBTI壽命的半導體元件測試方法與半導體元件測試系統。半導體元件測試方法包括:提供多個相同的PMOS元件;在預設溫度下對第n個所述PMOS元件的柵極多次施加時長不同的第n個預設負偏壓,以獲取多個預設負偏壓下多個施壓時長對應的所述PMOS元件的漏極飽和電流老化率;將多個所述漏極飽和電流老化率帶入預設方程以確定所述預設方程的擬合結果,獲取對應于施壓值和施壓時長的漏極飽和電流老化率變化曲線;根據所述漏極飽和電流老化率變化曲線確定所述PMOS元件在標準工作電壓下漏極飽和電流老化率達到預設失效值時對應的時間。本公開提供的半導體元件測試方法可以提高測試PMOS元件NBTI壽命的效率和準確度。
聲明:
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