本發明提供了一種電遷移測試結構及電遷移測試方法,所述電遷移測試結構包括:待測金屬互連結構;第一感測電極,與所述待測金屬互連結構的一端電性連接;第二感測電極,與所述待測金屬互連結構的另一端電性連接;至少一個第三感測電極,至少與所述待測金屬互連結構的兩端之間的位置電性連接;第一加載電極,與所述第一感測電極電性連接;以及,第二加載電極,與所述第二感測電極電性連接。本發明的技術方案能夠避免影響芯片區的布線設計,且能夠進行晶圓級的快速測試以及能夠快速判斷出電遷移失效的具體位置。
聲明:
“電遷移測試結構及電遷移測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)