本發明提供一種晶圓良率損失預測方法及自定義缺陷密度圖形自報告系統,其中,所述晶圓良率損失預測方法包括依次獲取晶圓上所有芯片的整體缺陷密度;建立缺陷密度數據模型;獲取所述晶圓的缺陷密度圖形;依次分析所述缺陷密度圖形中所有芯片的失效率;以及,預測所述晶圓的良率損失情況。本發明通過建立晶圓的缺陷密度數據模型自動輸出不同的缺陷密度范圍對應的缺陷密度圖形并預測晶圓上所有芯片的良率損失情況,為缺陷分析提供精準的缺陷密度報告以及良率損失預測。
聲明:
“晶圓良率損失預測方法及自定義缺陷密度圖形自報告系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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