本發明公開了一種半導體存儲產品的集成式高溫測試方法及系統,所述方法包括:通過獲得第一半導體存儲產品第一材料種類;確定第一正極限溫度;設計第一高溫試驗,包括第一試驗方案、第二試驗方案;組建第一測試樣本集,并劃分為第一測試樣本、第二測試樣本;根據第一試驗方案對第一測試樣本進行高溫處理,獲得第一處理結果,根據第二試驗方案對第二測試樣本進行高溫處理,獲得第二處理結果;基于預設時間閾值獲得第一分析結果,其中包括多個失效樣本的分析結果;依次確定多個失效樣本的多個失效部位,并分別對多個失效部位進行處理。解決了現有技術中人工對半導體存儲產品高溫測試存在耗費人力大、測試步驟繁瑣,導致測試效率低的技術問題。
聲明:
“半導體存儲產品的集成式高溫測試方法及系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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