本發明屬于半導體金屬導線電子遷移測試技術領域,具體涉及一種半導體EM測試中銅鉭形貌的獲得方法及其樣品的制備方法。測試樣品的制備方法包括步驟:1)預處理及減薄和減寬;2)FIB樣品制備。銅鉭形貌的獲得方法還包括步驟:3)第一次TEM觀察;4)去銅進行第二次TEM觀測。通過本發明所提供的半導體EM測試樣品的制備方法,可以一次制備多個TEM樣品,并且不需要進行樣品提取。而通過本發明所提供的半導體EM測試中銅鉭形貌的獲得方法,可以快速得到鉭元素分布圖以及銅形貌來更好地失效分析,從而解決直接用EDS或者EELS做鉭面掃描不但占用機臺大量的時間,而且長時間掃描內樣品可能會發生一定的漂移,因而無法真實反映其形貌的技術問題。
聲明:
“半導體EM測試中銅鉭形貌的獲得方法及測試樣品制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)