本申請提供一種硅通孔的測試結構及測試方法,所述測試結構包括:半導體襯底;至少一種參考測試單元,位于所述半導體襯底中,用于輸出測試數據,包括參考測試溝槽電容組以及硅通孔結構,其中所述參考測試溝槽電容組環繞所述硅通孔結構分布;基準測試單元,位于所述半導體襯底中,用于輸出基準數據,包括基準測試溝槽電容組,所述基準測試溝槽電容組與所述參考測試溝槽電容組的結構相同。所述測試結構及測試方法可以監測TSV制備中對介電層產生的工藝影響,通過測試襯底和TSV間的電阻、電容和漏電流大小,來推算TSV隔離層的電性厚度及隔絕能力等性能,有助于制程出現問題時的輔助失效分析。
聲明:
“硅通孔的測試結構及測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)