本發明公開了一種介質層可靠性測試結構及測試方法,屬于半導體技術領域,所述介質層可靠性測試結構包括:襯底,其上設置多個有源區;至少一個待測試介質層,設置在所述有源區上;多晶硅層,設置在所述待測試介質層上;輔助金屬結構,設置在所述多晶硅層上,且所述輔助金屬結構將所述多晶硅層區分為多種不規則的區域;以及輔助多晶硅結構,設置在所述襯底上,且環繞所述多晶硅層設置。通過本發明提供的一種介質層可靠性測試結構及測試方法,可提高失效分析的準確率和效率。
聲明:
“介質層可靠性測試結構及測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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