本申請提供了一種光刻版及晶圓或晶圓承載臺沾污的檢測方法。該光刻版包括版圖,版圖具有等第一間距分布的多個標記區域,標記區域的寬度為W1,第一間距與寬度相等,標記區域具有等第二間距分布的多個子標記,第二間距為W2。該版圖的每一個子標記區域在干涉圖形中均會出現一個干涉峰,當某處的標記出現異常時,對應的干涉峰也會出現偏移或振蕩,能夠讀取到明顯的干涉信號變化,因此其對沾污的檢測靈敏度較高;且該版圖還可以覆蓋到晶圓的邊緣,能夠靈敏及時地檢測到晶圓或晶圓承載臺上的沾污,進而避免了由于沾污造成器件失效需要的返工的問題,提高了器件的產率及良率。
聲明:
“光刻版及晶圓或晶圓承載臺沾污的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)