一種采用斷面切割腐蝕技術檢測硅晶片體內微缺陷的方法,適用于半導體硅襯底片生產廠對硅晶片體內缺陷的檢測和控制,及時發現襯底片不良,減少成品器件的失效。本發明采用三次循環濕氧高溫熱氧化工藝和斷面切割技術,使常規檢測方法無法探測到的體內缺陷在多次熱氧化過程中充分綴飾并長大,然后將氧化后的硅晶片選擇表面不同位置切割成寬度為1.5至2.0cm的硅晶片長條(1),經過擇優腐蝕后用雙面膠將硅晶片長條(1)背面粘接在四氟墊塊(2)上,用光學顯微鏡觀察斷面(3)形貌,并采用連續掃描法計數微觀下的缺陷密度。本發明的檢測方法,適合大規模和批量生產的工廠使用。
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