本發明涉及一種鎢接觸栓塞高阻的檢測方法。包括以下步驟:將半導體樣品研磨至鎢栓塞接觸層;在所述半導體樣品的待觀測區域形成兩個用于確定失效地址的位置標記,并在靠近失效地址處形成停止標記;研磨半導體樣品的橫截面直至停止標記;將半導體樣品在沸騰的雙氧水中浸煮,直到去除金屬鎢,露出硅鈷化物層;制備平面TEM樣品;采用STEM觀測平面TEM樣品。本發明的技術方案先移出金屬鎢,然后通過STEM模式觀測硅鈷化物的生長形貌和質量,從而可以快速找到鎢接觸栓塞高阻的原因,指明工藝的改進方向,對改善鎢接觸栓塞高阻的形成具有非常重要的作用。
聲明:
“鎢接觸栓塞高阻的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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