本發明公開了基于瞬時功率檢測的SiC MOSFET模塊短路檢測電路,包括漏極電壓采集電路、漏極電流采集電路、高速模擬乘法器U2和高速比較器CP1,本發明解決了現有SiC MOSFET模塊短路保護時存在的響應速度慢、易誤觸發的缺陷。本發明還公開了一種SiC MOSFET模塊短路檢測方法,漏極電壓采集電路和漏極電流采集電路分別將采集的電壓值和電流值傳送到高速模擬乘法器U2的乘積輸入端,經過高速模擬乘法器U2計算得出瞬時功率值,當瞬時功率值大于設定參考閾值Vref,p時,高速比較器CP1翻轉送出故障關斷信號,本發明避免了SiC MOSFET熱失控或柵?源極失效。
聲明:
“基于瞬時功率檢測的SiCMOSFET模塊短路檢測電路及短路檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)