本發明公開了一種深溝槽產品的物理分析結構,形成于劃片槽區,由一系列寬度依次減少、且平行放置的分析溝槽組成,用于為深溝槽在分析時提供深度標記。本發明還公開了一種深溝槽產品的物理分析方法。本發明能在深溝槽產品的結構分析或失效分析時為深溝槽的不同深度位置實現準確定位,能夠實現對深溝槽產品的質量進行準確和快速的分析,能夠提高結構分析或失效分析的質量和效率,從而也能提高產品的生長質量和效率。本發明的物理分析結構并不需要占用芯片區的面積,且物理分析結構的各分析溝槽采用和深溝槽的同一塊掩膜板制作,工藝成本低。
聲明:
“深溝槽產品的物理分析結構及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)