本發明公開了一種三參數韋伯分布處理閃絡電壓分析絕緣材料性能的方法,包括以下步驟:采集n個閃絡電壓,按升序排列組建電壓向量U,并賦予失效序數;建立三參數韋伯分布閃絡電壓概率模型;計算各失效序數下的閃絡電壓對應的累積閃絡概率;擬合所述三參數韋伯分布閃絡電壓概率模型中的尺度參數、形狀參數和位置參數;使用所述三參數韋伯分布閃絡電壓概率模型分析絕緣材料的性能。它采用三參數的韋伯分布處理閃絡電壓數據,計算閃絡概率,與兩參數相比更接近現實,擬合效果更好,準確度更高。并且在求取累計閃絡概率時,利用失效等級概念,采用中位秩公式對失效等級進行修正,避免了因樣本數量不足引起的結果偏差。并且計算簡潔,運算速度快??捎糜陂W絡電壓預測,根據閃絡概率要求確定絕緣設計標準。
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