本發明涉及半導體制造領域,特別涉及一種基于三維TEM樣品進行缺陷分析的方法。包括以下步驟:提供帶有缺陷的半導體樣品;在待觀測區域形成第一標記;橫向電鍍第一鉑金保護層;制備第一TEM樣品;測量缺陷到第一標記的距離;將第一TEM樣品放置到半導體樣品上;縱向電鍍第二鉑金保護層;制備三維TEM樣品;三維TEM成像。本發明的技術方案,在制備三維TEM樣品的基礎上,進行兩個方向的TEM觀測和成像,可以得到半導體制程中缺陷的形貌、大小、所處層次等全面信息,進行對所述缺陷進行準確失效分析,從而提出對半導體制程的可靠改進意見;本發明的技術方案操作方法簡單,三維TEM樣品制備效率高,對TEM樣品進行失效分析效果好,準確率高。
聲明:
“基于三維TEM樣品進行缺陷分析的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)