本申請公開了一種半導體器件中失效點的定位方法,涉及半導體制造領域。該半導體器件中失效點的定位方法包括確定半導體器件中發生橋接的兩個膜層,兩個膜層的材料相同;在第一膜層的起始端與第二膜層之間加第一電壓,在第一膜層的末端與第二膜層之間加第二電壓;獲取第一膜層的起始端與第二膜層之間的電流,記為第一電流,以及,獲取第一膜層的末端與第二膜層之間的電流,記為第二電流;根據第一膜層的長度、薄膜電阻率、第一電壓、第一電流、第二電壓、第二電流,確定第一膜層中失效點的位置;解決了目前失效分析中不能通過FIB機臺做VC方法定位出失效點的問題;達到了簡便有效地定位失效點的效果。
聲明:
“半導體器件中失效點的定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)