確定半導體器件失效位置的方法

本發(fā)明涉及一種確定半導體器件失效位置的方法，包括步驟S1：對所述半導體器件進(jìn)行失效位置分析，以找到目標位置；步驟S2：在所述目標位置所在的平面上、在所述目標位置的周?chē)谱魅舾傻谝粯俗R，以標記所述目標位置；步驟S3：以所述第一標識為標記對所述目標位置進(jìn)行定位，并在所述半導體器件中制備包含所述目標位置的切片樣品，露出所述切片樣品的底部，并且在露出的所述底部上制作第二標識，以在失效分析中定位所述目標位置；步驟S4：將包含所述目標位置和所述第二標識的切片樣品從所述半導體器件中分離，以得到獨立的切片樣品；步驟S5：根據所述第二標識的位置確定所述目標位置，并對所述目標位置進(jìn)行TEM分析。