本發明公開了一種半導體器件失效定位方法,包括:開啟半導體器件封裝,露出器件芯片;在所述器件芯片表面涂覆液晶并加電,根據液晶顏色變化情況,確定失效點位置;對所述器件芯片進行逐層剝層直至所述失效點完全暴露;本發明驗操作簡單方便,將液晶技術引入到半導體器件失效分析中,彌補了微光顯微鏡設備昂貴的問題,同時,提出了半導體芯片干法刻蝕和濕法刻蝕中的相關參數及化學配比,能高效應用于常規Si半導體器件的剝層;將兩者有效的結合起來,能夠滿足半導體器件深層失效分析定位及失效分析的需求。
聲明:
“半導體器件失效定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)