本發明公開了一種快速定位集成電路失效位置的方法,包括:步驟S1,導通集成電路中的任意一個包含PN結的器件,并對所述集成電路失效點施加測試信號;步驟S2,使用熱發射顯微鏡從正面和背面分別獲取所述PN結和所述失效點的深度信息;步驟S3,通過比較所述PN結和所述失效點的深度信息來判斷所述失效點的失效位置。能夠快速定位失效位置是在芯片內部還是在封裝上,提高失效分析的效率。
聲明:
“快速定位集成電路失效位置的方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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