本發明涉及本發明涉及一種模擬壓接式IGBT器件失效短路機理的有限元建模方法,屬于大功率半導體器件失效機理和可靠性研究領域。該建模方法包括壓接式IGBT失效短路過程模擬,建立失效短路形成滲透坑的壓接式IGBT器件等效模型,通過設置滲透坑內鋁元素含量,形成不同失效短路過程的材料屬性變化;壓接式IGBT器件多物理場建模,建立壓接式IGBT器件幾何模型,基于不同失效短路過程的材料屬性變化,循環仿真模擬在不同失效短路過程中電阻、熱阻變化規律。本發明實現了壓接式IGBT器件失效短路過程有限元建模分析,通過考慮滲透坑的失效短路等效模型,模擬了壓接式IGBT器件在發生失效短路過程中特征參數的變化,可以為壓接式IGBT器件失效短路狀態監測提供基礎。
聲明:
“模擬壓接式IGBT器件失效短路機理的有限元建模方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)