本發明涉及一種靜電放電失效驗證方法,包括步驟:對待驗證芯片進行失效分析,記錄待驗證芯片的損傷信息;獲取與待驗證芯片同批次的良品芯片的損傷信息,良品芯片的損傷信息根據良品芯片通過靜電放電模擬損傷測試分析得到;將良品芯片的損傷信息與待驗證芯片的損傷信息進進行對比分析,判斷待驗證芯片是否發生靜電放電失效;當良品芯片的損傷信息與待驗證芯片的損傷信息一致時,則待驗證芯片發生靜電放電失效。上述靜電放電失效驗證方法,在進行靜電放電失效分析之前,對疑似靜電放電失效的芯片進行靜電放電失效驗證,避免直接采用靜電放電失效分析得到不準確的結果,提高了靜電放電失效分析的可靠性。
聲明:
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