本發明公開了一種用于多晶硅層的失效點定位的方法,包括:提供樣品;將所述樣品進行去層處理至多晶硅層上的層間介質層;對所述樣品的表面進行清潔處理;利用電勢對比定位法對所述樣品進行多晶硅層的失效點定位。本發明由于保留了一定厚度的多晶硅層上的層間介質層,所以避免了對多晶硅層的損傷;由于采用了超聲波震蕩方法在離子水中對樣品表面進行清潔,所以避免了清潔過程中對樣品表面的損傷;由于采用了較大的一次電子束的加速電壓進行電勢對比觀測,所以能夠快速的定位多晶硅層的失效點。本發明的方法適用于大尺寸多晶硅陣列的失效點定位,可快速地在掃描結果中準確地找到失效點的位置,節省了芯片失效分析的時間,提高了分析效率。
聲明:
“用于多晶硅層的失效點定位的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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